GaN是一种广泛用于LED芯片制造的半导体材料。 LED（发光二极管）是一种通过在半导体材料上引入电流来产生光的器件。 GaN生长是指将薄层GaN晶体在衬底上生长的过程。
常见的GaN生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）。其中，MOCVD是目前最流行的GaNs生长技术，它使用高温反应将有机物和金属前驱体转化为固态GaN晶体。 MBE则使用低压下的高纯度气体，通过分子束的热解生长出GaN单晶薄膜。
GaN生长的质量对于LED性能的关键影响因素之一是杂质控制，因为即使只有微量杂质含量也会显著影响LED的电性能和光发射特性。因此，在GaN生长过程中需要严格控制杂质的含量，以确保生长出优良的GaN晶体。
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