紫外LED外延片生产工艺主要包括以下几个步骤：
1. 基片清洗：将晶圆放入腐蚀液中进行清洗，去除表面的杂质和氧化物。
2. 生长GaAs基底：采用有机金属气相外延（MOVPE）技术，在基片上生长一层厚度约为0.5~1μm的GaAs基底。
3. 生长AlGaN障层：在GaAs基底上生长AlGaN障层，用于限制紫外光的波长。
4. 生长AlN衬底层：在AlGaN障层之上，生长一层约为10nm的AlN衬底层，用于提高结晶质量。
5. 生长n型AlGaN层：在AlN衬底层之上，生长一层约为0.2~0.3μm的n型AlGaN层，用于注入电子。
6. 生长p型AlGaN层：在n型AlGaN层之上，生长一层约为0.1~0.2μm的p型AlGaN层，用于注入空穴。
7. 生长p型GaN层：在p型AlGaN层之上，生长一层约为0.1~0.2μm的p型GaN层，用于电极接触。
8. 生长金属电极：在p型GaN层上进行金属电极的生长和制作。
以上是紫外LED外延片生产的基本步骤，不同厂家和研究机构可能会有不同的细节处理方式。
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