半导体材料中的载流子浓度直接决定着半导体的导电能力,因此要制造出符合要求的半导体器件,必须定量地研究载流子浓度的影响因素。 半导体中有空穴和电子两种载流子,半导体中的电流是这两种载流子定向移动形成的电流之和。 空穴浓度和电子浓度分别用p和n表示,单位为m-3或cm-3作单位。
1、半导体载流子浓度与载流子能量的关系 在热平衡状态下, 载流子数量计算基本原理: 载流子浓度=载流子总数的可能最大值X载流子出现概率 载流子浓度=量子态密度X费米-狄拉克分布函数 1.1 量子态密度 单位体积,单位能量中载流子总数的最大值(即可能的量子态总数)称为量子态密度。 导带量子态密度用gc表示。 价带量子态密度用gv表示。 量子态密度与载流子动能的平方根成正比。 导带电子量子态密度:
价带空穴量子态密度: 上式中,m*为空穴或电子的有效质量(考虑晶格对载流子束缚作用的等效质量)。 h为普朗克常数 ,h=6.626X10-34J·s。 设导带中电子的能量为E,将导带底的能量Ec视作电子的势能,那么E-Ec即为电子的动能。同理,价带顶能量Ev与空穴能量E的差值Ev-E 即为价带中空穴的动能。 1.2 费米-狄拉克分布 在一定温度T下,能量为E的电子出现在某一量子态的概率为 相应地,能量为E的空穴出现在某一量子态(即某一量子态为空)的概率为 ① EF为该温度下的费米能级。根据此式,费米能级也可以定义为:在一定温度下,若能量为EF 的量子态被载流子占据的概率为1/2,则EF为该温度下的费米能级。 ② k为玻尔兹曼常量,k=1.38X10-23J/K 。 有了量子态密度和费米-狄拉克分布的表达式,就可以通过对能量在整个能带中积分,得出单位体积内电子的数目为 空穴浓度为 对于电子,当能量增大时,由于费米-狄拉克函数迅速趋于零,因此可将积分上限设定为+∞而不必使用导带顶能量。空穴同理反之。
2、半导体载流子浓度与半导体自身参数的关系 2.1 载流子浓度与能带能量值Ec,Ev的关系 在费米-狄拉克分布函数的玻尔兹曼近似( E-EF>>KT )条件下,可以积分计算出半导体的导带电子热平衡浓度为
① n0 的下标0表示无外电压的热平衡态。 ② Nc是与半导体材料和温度有关的常数,称为导带有效状态密度。
同理,半导体的价带空穴热平衡浓度为 2.2 载流子浓度与本征半导体参数的关系 本征半导体:纯净的具有晶体结构的半导体。 本征半导体有两个重要参数:本征载流子浓度,本征费米能级。 (1)本征载流子浓度即为本征半导体中的载流子浓度。由于本征半导体中所有价电子都形成了共价键,自由电子数=空穴数,故通常用电子数 来表示本征载流子浓度。是半导体材料(即使是已经掺杂了的半导体)的一个重要参数。 将n0 和p0 的表达式相乘,并考虑关系Eg=Ec-Ev ,可以得到 由上式可知: ② 征载流子浓度与材料,温度和禁带宽度有关,而与导带、价带、费米能级无关。 ②热平衡状态下,电子浓度n0和空穴浓度p0的乘积为定值。 (2)本征半导体的费米能级称为本征费米能级。我们可以根据本征半导体ni=pi ,得出本征费米能级在能带中的具体位置。计算结果为
可见,本征费米能级大约位于禁带中央。 我们把
2.3 载流子浓度与掺杂浓度的关系 设本征半导体中掺杂了浓度为Nd的提供电子的施主(Donor)杂质(如磷),又掺杂了浓度为Na 的接受电子的受主(Acceptor)杂质(如硼)。 设掺杂后电子、空穴浓度分别为n0、p0,由于本征半导体中电子浓度=空穴浓度,故有n0-Nd=p0-Na ,又 这一结果表明,在高掺杂状态(本征浓度相对掺杂浓度可以忽略)下,直接n0= Nd -Na 是一个很好的近似。 3、半导体中的电流——载流子的输运 本节始研究载流子的运动,也就是载流子输运现象。 载流子的输运分为两种基本形式:扩散运动,漂移运动。 扩散运动由浓度梯度引起,漂移运动由电场引起。 3.1 漂移运动(Drift) 欧姆定律的微分形式给出漂移电流密度为
μ为迁移率 上式是空穴和电子的电流密度之和。由于电子的(-e)和电场力作用方向(-E)抵消,因此两个电流用加号连接。 上式同时给出了电导率σ(有些书上记为γ)的具体表达式。 4.2 扩散运动(Diffusion) 由于扩散电流是从高浓度往低浓度扩散,亦即同载流子浓度减小率成正比,因此扩散电流密度为
D为扩散系数 总电流密度为
4.3 迁移率和扩散系数的关系——爱因斯坦关系 爱因斯坦关系:在温度一定时,迁移率与扩散系数的比值为常数。 |