光学邻近修正(Optical Proximity Correction，OPC)是一种光刻分辨率增强技术[1]。OPC主要在半导体器件的生产过程中使用。在光刻工艺中，掩膜上的图形通过曝光系统投影在光刻胶上，由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近效应修正(Optical ProximityCorrection,OPC)就是使用计算方法对掩膜上的图形做修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求[2]。
图1 OPC处理前后的图形及其曝光结果 应用条件一般来说，当晶圆上的线宽小于曝光波长时，必须对掩模上的图形做邻近效应修正。例如，使用248nm波长光刻机，当图形线宽<250nm时，必须使用简单的修正；当线宽<180nm时，则需要非常复杂的修正。使用193nm波长光刻机，当最小线宽<130nm时，就必须做图形修正[2]。 基于经验的光学邻近效应修正光学邻近效应修正首先于250nm技术节点被引入报道提光刻工艺中。OPC软件根据事先确定的规则对设计图形做光学邻近效应修正。这种方法的关键是修正规则，它规定了如何对各种曝光图形进行修正。其形式与内容会极大的影响OPC数据处理的效率和修正的精度。修正规则是从大量实验数据中归纳出来的，随着计算技术的发展，修正规则也可以通过计算的方法产生。修正规则都是在一定光照条件下产生的。如果工艺条件发生了变化，这些修正规则必须重新修订[2]。 基于模型的光学邻近效应修正基于模型的光学邻近效应修正从90nm技术节点开始被广泛应用。它使用光学模型和光刻胶化学反应模型来计算出曝光后的图形。该方法的关键是建立精确的光刻模型，包括光学模型和光刻胶模型，为达到较高的计算速度，这些模型都采用近似模型，其中包含一系列参数，需要实验数据来进行拟合，以保证模型的精确度。显然实验数据越多，模型拟合越精确。但是太多的测试图形会使得晶圆数据的收集量太大。因此，测试图形的设计非常关键[3]。 参考文献：[1]Calibre OPC and PSM，http://s3.mentor.com/public_documents/datasheet/products/ic-manufacturing/computational-lithography/calibre_ret.pdf [2]韦亚一，超大规模集成电路先进光刻理论与应用，科学出版社，2016，343-360 [3]韦亚一，粟雅娟，刘艳松，先导光刻技术中的光学邻近效应修正，微纳电子技术，2014，51(3):186-193 |
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